分子束外延與量子點(diǎn)激光二極管
公司在半導(dǎo)體激光器外延技術(shù)上持續(xù)創(chuàng)新，可實現(xiàn)高密度 InAs/GaAs 量子點(diǎn)有源區(qū)，并能夠?qū)α孔狱c(diǎn)的密度、尺寸和位置分布進(jìn)行設(shè)計與調(diào)控。公司激光二極管可在-40~220℃的極端溫度下無制冷工作；因極強(qiáng)的抗光反射特性，可實現(xiàn)無光隔離器工作；此外還具備閾值電流密度低等優(yōu)點(diǎn)。量子點(diǎn)激光二極管適用于車載、廠礦等要求耐高溫的場所，也是數(shù)據(jù)中心，Si 光子集成的優(yōu)選。
公司在半導(dǎo)體激光器外延技術(shù)上持續(xù)創(chuàng)新，可實現(xiàn)高密度 InAs/GaAs 量子點(diǎn)有源區(qū)，并能夠?qū)α孔狱c(diǎn)的密度、尺寸和位置分布進(jìn)行設(shè)計與調(diào)控。公司激光二極管可在-40~220℃的極端溫度下無制冷工作；因極強(qiáng)的抗光反射特性，可實現(xiàn)無光隔離器工作；此外還具備閾值電流密度低等優(yōu)點(diǎn)。量子點(diǎn)激光二極管適用于車載、廠礦等要求耐高溫的場所，也是數(shù)據(jù)中心，Si 光子集成的優(yōu)選。
公司在半導(dǎo)體激光器外延技術(shù)上持續(xù)創(chuàng)新，可實現(xiàn)高密度 InAs/GaAs 量子點(diǎn)有源區(qū)，并能夠?qū)α孔狱c(diǎn)的密度、尺寸和位置分布進(jìn)行設(shè)計與調(diào)控。公司激光二極管可在-40~220℃的極端溫度下無制冷工作；因極強(qiáng)的抗光反射特性，可實現(xiàn)無光隔離器工作；此外還具備閾值電流密度低等優(yōu)點(diǎn)。量子點(diǎn)激光二極管適用于車載、廠礦等要求耐高溫的場所，也是數(shù)據(jù)中心， Si 光子集成的優(yōu)選。
